【摘 要】
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研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10~3Ω~(-1)cm~(-1))禁带宽(E_g(Γ)=2.5eV)的氧化镉(CdO)透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽
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研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10~3Ω~(-1)cm~(-1))禁带宽(E_g(Γ)=2.5eV)的氧化镉(CdO)透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽的波长响应(λ=0.5～1.6μm),共发射极电流增益h_(fe)为10(V_(CE)=3V,I_C=1mA)。并对发射结的伏安恃性、h_(fe)-I_C及暗电流等进行了讨论。
Developed a new type of InGaAs phototransistor. In the emitting region, CdTe transparent film with high electrical conductivity (σ = 5 × 10 ~ 3Ω -1 cm -1) and bandgap (E_g (Γ) = 2.5eV) Area. The test results show that the tube has a wide wavelength response (λ = 0.5 ~ 1.6μm), and the total emitter current gain h_ (fe) is 10 (V_CE = 3V, I_C = 1mA). The volt-ampere response, h_ (fe) -I_C and dark current of the emitter junction are also discussed.
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