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本文就烧成温度对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料结构与性能的影响进行了初步研究，发现复合材料密度，强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧成温度的升高而下降，这和烧成显微结构（气孔率，晶粒大小与分布，晶界状况等）密切相关。
烧成温度对C—B4C—SiC复合材料结构与性能的影响
【摘 要】
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本文就烧成温度对Ｃ－Ｂ４Ｃ－ＳｉＣ碳／陶复合材料结构与性能的影响进行了初步研究，发现复合材料密度，强度随烧结温度的升高而明显提高，电阻率随烧成温度的升高而下降，这和烧成显微结构（气孔率，晶粒大
【机 构】
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中南工业大学粉末冶金研究所,湖南大学化学化工系
【出 处】
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湖南大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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1995年4期
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