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采用直接共晶和预共晶连接两种方法，对块体单晶硅扩散连接进行试验研究。结果表明：单晶硅接头界面主要由残留Au层、桥状硅和微孔组成。试验中微孔是个难以避免的缺陷，但随着连接温度升高，微孔数量会减少，即焊合率会增大。预共品连接能有效地阻止微孔的产生，700℃时预共晶连接焊合率达87％，而直接共晶连接仅57％。预共晶连接接头抗拉强度较直接共晶连接低。为预共晶连接主要存Au层发生断裂，故预共晶连接的残留Au层是个弱结合。直接共品连接残余Au层很薄，平均厚度不足0．34um，断裂主要发生存Au-Si界面上。