【摘 要】
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磁电阻效应是衡量磁结构单体性能的最重要指标。随着对磁电阻效应的不断研究和应用,不仅诞生了与电子自旋相关的自旋电子学理论,同时也促进了电子学器件的快速发展,这不仅为
【机 构】
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兰州大学物理科学与技术学院,青海大学高性能轻金属合金与成形工程研究中心,兰州交通大学数理学院,兰州大学生命科学学院,兰州大学地质科学与矿产资源学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(Nos.51571104,51801087,91962212),兰州大学中央高校基本科研业务费专项资金自由探索项目(No.lzujbky-2020-58),兰州大学大型仪器设备开放共享专项经费支持
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磁电阻效应是衡量磁结构单体性能的最重要指标。随着对磁电阻效应的不断研究和应用,不仅诞生了与电子自旋相关的自旋电子学理论,同时也促进了电子学器件的快速发展,这不仅为基础物理的理论研究提供了实验根基,也将促进今后大规模高科技产业的形成。随着半导体加工工艺技术的不断提高,电子学器件的基本结构单元已经达到了纳米量级,这将引起一些纳米范畴的特性对其宏观性能的调控和影响。基于此,全面掌握纳米磁结构单体基本的物理特性是非常必要的,对其全面了解和精确测量能够进一步推动自旋电子学器件的应用和发展。本文应用电化学沉积法制备了
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