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中国病:“一把手依赖症”
【出 处】
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领导文萃
【发表日期】
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2011年10期
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随着科技的进步，半导体材料的发展经历了第一代以锗、硅为代表的元素半导体，第二代以GaAs、InP为代表的化合物半导体，现在人们越来越关注第三代半导体。第三代半导体材料，即宽带隙半导体材料，在高温、高频大功率器件和短波长光电子器件方面具有前两代半导体所不能比拟的潜力，是目前世界半导体材料和器件研究领域中的热点。在电子器件方面，对SiC和GaN的研究较为成熟，在发光器件方面，对Ⅲ族氮化物和ZnO基化合
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