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采用基于第一性原理的局域密度近似方法研究了Al-N共掺SnO中不同N掺杂位置模型的电子结构和光学性质。掺杂Al或N元素后呈P型导电并且带隙拓宽，最大值可达到1．748 eV；N元素引入了杂质能级，使得可见光区的介电函数虚部ε2（ω）增加，进而提高了低能区的吸收系数和吸收边发生了红移，反射率也增强。