【摘 要】
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提出了在n-区中采用掺杂浓度三层渐变式结构SiGe/Si功率二极管及台面结构的SiGe/Si功率二极管.由Medici模拟所得的特性表明,在采用n区渐变掺杂结构的p+(SiGe)-n-n+功率二极管
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提出了在n-区中采用掺杂浓度三层渐变式结构SiGe/Si功率二极管及台面结构的SiGe/Si功率二极管.由Medici模拟所得的特性表明,在采用n区渐变掺杂结构的p+(SiGe)-n-n+功率二极管中,在正向特性基本不发生变化的前提下,与n区固定掺杂结构相比反向恢复过程加快.二极管下降时间tA缩短近1/2;在采用台面结构的p+(SiGi)-n-n+功率二极管中,反向恢复特性也有明显改进.电流反向恢复时间缩短近1/3,而电压反向恢复时间缩短近1/2.
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