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,Characterization of 4H-SiC substrates and epilayers by Fourier transform infrared reflectance spect
【作 者】
：
【机 构】
：
Material Science Center, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, C
【出 处】
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中国物理B（英文版）
【发表日期】
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2012年4期
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