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以InGaAsP／InP雪崩光电二极管（APD）为核心器件的红外单光子探测技术，在量子信息技术领域的广泛应用，使其成为近年的研究热点。根据InGaAsP／InP APD在红外通信波段实现单光子探洲的要求和特点，通过APD的门控电路和实验结果分析，探讨了门模式下各种参数与暗计敷率、量子效率、量子误码率、信号传输速率之间的关系，为门模参敷的选择提供依据。结果表明：偏置电压的大小、门脉冲宽度和周期的选择，对提高探测器性能起着关键的作用。