Heteroepitaxial Growth and Characterization of 3C-SiC Films on Si Substrates Using LPVCVD

来源 :材料科学技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：Ratawo

【摘要】

：

3C-SiC films have been deposited on Si (111) substrates by the Iow-pressure vertical chemical vapor deposition (LPVCVD) with gas mixtures of SiH4, C3H8 and Ha.

【作者】

：

Haiwu ZHENG Junjie ZHU Zhuxi F

【机构】

：

HefeiNationalLaboratoryforPhysicalSciencesatMicroscale,DepartmentofPhysics

【出处】

：

材料科学技术：英文版

【发表日期】

：

2005年4期

【关键词】

：

3C-SiC薄膜低压化学水气沉积硅底层气体混合剂 3C-SiC films Low-pressure vertical chemical vapor d

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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3C-SiC films have been deposited on Si (111) substrates by the Iow-pressure vertical chemical vapor deposition (LPVCVD) with gas mixtures of SiH4, C3H8 and Ha. The growth mechanism of SiC films can be obtained through the observations using field emission

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