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本文评介了近几年来采用应变量子阱的毫米波低噪声HEMT(高电子迁移率晶体管)的发展概况.
采用应变层量子阱的毫米波低噪声HEMT的进展
【摘 要】
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本文评介了近几年来采用应变量子阱的毫米波低噪声HEMT(高电子迁移率晶体管)的发展概况.
【机 构】
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北京大学微电子学研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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1990年2期
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