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电阻应变片法测量形变、正电子寿命谱实验结果表明,siO2单晶经短时、低压渗氢处理后,晶体表面的残余压应力σ、恒力作用下的形变率ε/ε0、晶体内点缺陷浓度α均随着渗氢压力P、渗氢时间T的乘积X的增加而显著增大,这意味着晶体内部的微观电子浓度发生变化,晶体在低应力作用下发生破裂的可能性增大。更多还原