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利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α~Al2O3)衬底上生长出Mn含量约为3%的(Ga,Mn)稀磁半导体薄膜。利用反射高能衍射(RHEED)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)表征(Ga,Mn)N薄膜的表面形貌和结构特征。(Ga,Mn)N薄膜具有良好的(0002)择优取向和纤锌矿结构,表面形貌是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成。光致发光(PL)测量发现3.27eV附近出现施主一受主对(DAP)发光峰。超导量子干涉仪(SQU