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采用金属有机化合物气相淀积法（MOCVD）在蓝宝石上生长InxGa1-xN／GaN晶体薄膜，GaN缓冲层的厚度为2．5μm，InxGa1-xN晶体薄膜的厚度大约800nm，通过光致发光光谱仪测量样品发光峰的峰值，确定铟镓氮晶体薄膜中铟分布的均匀性，取样品均匀性良好的铟镓氮晶片进行卢瑟福背散射实验，每个实验室测量6个样品，两个实验室共同完成，对数据进行分多层精确拟合分析，获得外延层中的XIn，XIn值由多层拟合结果的加权平均值和定值不确定度组成。研究结果表明：采用人射离子4He，能量为2000keV，散射角