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GaN基量子阱是光电子器件如发光二极管、激光二极管的核心结构。实验表明，采用InGaN／GaN三元和AlInGaN／GaN四元两种不同量子阱结构的激光二极管的发光性质和发光效率有明显差别，研究了这两种不同量子阱结构的显微特征。利用原子力显微镜表征了样品的（001）面；通过高分辨X射线衍射对两种量子阱结构的（002）面作ω／2θ扫描测得其卫星峰并分析了两种不同量子阱结构的界面质量；利用X射线衍射对InGaN／GaN和AlInGaN／GaN这两种量子阱的（002）、（101）、（102）、（103）、（104