论文部分内容阅读
综述了低电压低功耗ＣＭＯＡＳＩＣ技术，包括低压ＡＳＩＣ器件的主要类型及特点；选择的产品系列及其主要的工艺，性能参数与专用牧场生；芯片功耗的估算方法；高门密度ＡＳＩＣ芯片低电压低耗自动化设计与测试技术，最后扼要评述了低电压低功耗ＡＳＩＣ的今后发展方向。
低电压低功耗CMOSASIC技术的进展
【摘 要】
：
综述了低电压低功耗ＣＭＯＡＳＩＣ技术，包括低压ＡＳＩＣ器件的主要类型及特点；选择的产品系列及其主要的工艺，性能参数与专用牧场生；芯片功耗的估算方法；高门密度ＡＳＩＣ芯片低电压低耗自动化设计与测试技术，最
【机 构】
：
电子工业部第四十七研究所
【出 处】
：
半导体技术
【发表日期】
：
1997年3期
其他文献
在ＰＥＣＶＤ法低温制备优质薄膜技术中，发迹衬底温度，反应室气压，混合气体组合，动用退火致密工艺，制备ＳｉＯｘＮｙ栅介质膜样品。采用椭偏仪测量该薄膜的折射率和膜厚，结合俄歇电子能谱和红外吸收光谱分
对非超高真空条件下对在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射沉积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理
1952年，解放前上海滩上近百种小报早已全停止出版，解放后一时获准出版的《大报》、《亦报》也相继停办，整个上海民营报刊已寥若晨星，此时，报刊园苑中却绽放出一朵奇葩：不是报的“报
“朱生豪”这个名字．对于今天的人们来说，也许不太熟悉。然而，当你捧读英国文艺复兴时期的大师、“人类最伟大的戏剧天才”莎士比亚的中译《莎士比亚全集》(下简称“莎集”)时，你
综述了新型电力电子器件与功率集成电路的最新进展，指出ＳｉＣ和金刚石是优于Ｓｉ和ＧａＡｓｄ的制造电力电子器件的理想材料。功率集成电路已进入实用化阶段。
对一个衣食富足的国家的民众来说，什么问题是大家最关心的?或者说，政府的责任在哪些方面最受关注?稍加思索便可以回答，是生存安全和身体健康放在重要位置而加以保证，这是维护社会
音乐欣赏的过程就是感情体验的过程．它既是欣赏者对音乐的感情内涵进行体验的过程，也是欣赏者自己的感情和音乐中表现的感情相互交融、发生共鸣的过程。同样，音乐欣赏课教学也不仅仅是具体音乐作品的一般聆听。而是借助各种媒体手段帮助学生体验和领悟音乐美的审美活动．并在音乐的感受、听赏、评价过程中发展想象力、丰富精神生活、使身．心得到健康协调的发展。因而，音乐教师必须通过自己的内容预设、过程控制、评价引领等环节
陈独秀年轻时便已有“皖城志士”的美称。在时代变革的大潮中，为寻求强国富民的道路，他于20世纪初的14年间，先后5次东渡日本，其中除完成正常的学业外，则是积极投入留日学生的爱国
采用激光束反射偏转法测量了用溶胶－凝胶法在Ｓｉ（１１）基片上制备的ＴｉＯ２－ＳｉＯ２复合薄膜的曲率半径。由此计算出薄膜的热应力，应力和本征应力。研究了工艺过程与薄膜应力的关系，其应力随热处理温度的