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利用磁控溅射方法,在ITO玻璃基底上分别溅射镁掺杂的氮化铝（AlN：Mg）薄膜、铝掺杂的氧化锌（ZnO：Al或AZO）薄膜,成功制备AlN：Mg/ZnO：Al透明异质结二极管。实验结果表明：AlN：Mg/ZnO：Al异质结具有明显的I-V整流特性,正向开启电压1 V左右,在氙灯光照下,二极管的反向电流在5V偏置时达到3mA。二极管在可见光区域的平均透过率在80%以上,适用于太阳电池的窗口层的研究。