HWE生长大面积CdTe／CdZnTe／Si薄膜的结构和形貌分析

来源 :激光与红外 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ldjlovell

【摘要】

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用热壁外延法(HWE)生长直径30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向的立方闪锌矿结构.SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试,结果发现:Si衬

【作者】

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杨爱明吴长树杨宇唐利斌

【机构】

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云南大学化学与材料工程学院,昆明物理所

【出处】

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激光与红外

【发表日期】

：

2004年6期

【关键词】

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热壁外延大面积硅衬底碲镉薄膜结构表面形貌 Hot Wall Epitaxy big area Si substrate CdTe thinfilm s

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用热壁外延法(HWE)生长直径30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜,经XRD测试说明它是晶面为(111)取向的立方闪锌矿结构.SEM对Si衬底、CdZnTe缓冲层和CdTe薄膜三层分别测试,结果发现:Si衬底表面结构粗糙,CdZnTe缓冲层较Si衬底表面结构细致,CdTe薄膜较CdZnTe缓冲层表面结构光滑细密,即缺陷较CdZnTe缓冲层少很多.通过对该片子照像看出其表面如镜面.由此说明大面积CdTe/CdZnTe/Si薄膜可用HWE技术制备.

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