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电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究
电场调制下单量子阱ZnCdSe/ZnSe的激射行为研究
来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zhang1xiao123321
【摘 要】
:
近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基
【作 者】
:
羊亿
申德振
【机 构】
:
中国科学院长春物理研究所,中国科学院激发态物理开放研究实验室
【出 处】
:
发光学报
【发表日期】
:
1999年1期
【关键词】
:
单量子阱
电场调制
受激发射
硒化锌
锌镉硒
ZnCdSe/ZnSe single quantum well
electric field modulatio
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近年来,随着宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体激光器取得突破性进展[1],对ZnSe基超晶格与量子阱的受激发射也进行了广泛的研究[2,3],同时对电场调制下的ZnSe基超晶格的受激发射也有过报导[4].但对于电场调制下的ZnCdSe/ZnSe基单量子阱的激射行为研...
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