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本文报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。
刻蚀腔InGaAsP/InP双异质结激光器的制作与特性
【摘 要】
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本文报道了用反应离子刻蚀与晶向湿法化学腐蚀相结合沿ＩｎＰ衬底方向获得工作波长１．３μｍ的ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ双异质结激光器的腔面的方法。
【机 构】
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中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1997年11期
【基金项目】
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国家自然科学基金,,集成光电子学国家重点实验室资助
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