【摘 要】
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为了解决 MEMS 工艺制备金属微电极阵列时,电极与基底结合力小,易脱落等问题,提出了基于 Over-plating 成型的过电铸法金属微电极阵列制备技术. 在常温下,选择 190 g / mL 的
【机 构】
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仪器科学与动态测试教育部重点实验室
【基金项目】
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国家自然基金项目(51475438,61401405);山西省人社厅留学项目(20150603ZX);山西省自然科学基金项目(2014011021-4)
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为了解决 MEMS 工艺制备金属微电极阵列时,电极与基底结合力小,易脱落等问题,提出了基于 Over-plating 成型的过电铸法金属微电极阵列制备技术. 在常温下,选择 190 g / mL 的 CuSO4·5H2O、60 g / L 的 H2SO4、70 mg / L 的氯离子以及适量的添加剂配置成的电铸液,并采用酸性镀铜工艺,设置电流密度1.5 A/ dm2,过电铸20 h,经抛光处理后,分别得到了高度200 μm、900 μm,线宽 200 μm,中心距300 μm 的柱金属微电极阵列
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