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为满足对电子系统中元器件性能提升、面积减小、成本降低等需求，利用感应耦合等离子体刻蚀技术（ICP），对低阻P型硅采用刻蚀、扩散、磁控溅射A1电极等工艺，使之形成凹槽状三维结构，制造出一种特殊的具有高密度电容量的硅基电容器。其特点是结构简单，电容量大（电容密度可达2．2×10^-9F／mm^2），容值可调，与现有微电子工艺兼容，可用于200MHz至数GHz的退耦或其他场合。同时由于半导体pn结固有的特性，该电容器可取代传统的贴片电容广泛用于电子系统中的退耦、滤波、匹配、静电和电涌防护等场合。