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采用简单的磁控溅射方法,在室温合成了CdS多晶薄膜.在溅射CdS多晶薄膜过程中,分别在Ar气中通入0%、0.88%、1.78%、2.58%和3.40%(体积分数,φ)的O2,得到不同O含量的CdS多晶薄膜.通过X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜、X射线光电子能谱仪、紫外-可见光谱仪对得到的CdS多晶薄膜进行表征.分析结果表明:O的掺入能得到结合更加致密,晶粒尺寸更小的CdS多晶薄膜;与溅射气体中没有O2时制备的CdS多晶薄膜的光学带隙(2.48 eV)相比,当溅射气体中O2的含量为0.88%和1.7