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提出一种生成难熔金属硅化物的新方法,用CO2激光诱导氧化物-铝粉热化学反应在多晶硅表面获得Ni和NiSi2膜.AES和XPS分析给出膜层的组分和深度浓度分布.通过对实验参量的分析认为,不同终相的形成与共晶过程有关.
激光诱导铝热反应在多晶硅上制备Ni和NiSi2薄膜
【摘 要】
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提出一种生成难熔金属硅化物的新方法,用CO2激光诱导氧化物-铝粉热化学反应在多晶硅表面获得Ni和NiSi2膜.AES和XPS分析给出膜层的组分和深度浓度分布.通过对实验参量的分析认为,不同终相的形成与共晶过程有关.
【机 构】
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上海市激光技术研究所中国科学院上海冶金所
【出 处】
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中国激光
【发表日期】
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1989年16期
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