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在直拉单晶硅生长的过程中，自然对流对晶体界面的形状、温度场及应力分布影响很大。本文采用二维模型对熔体内自然对流对单晶硅的影响作了数值模拟，在低雷诺数时采用层流模型，高雷诺数时采用紊流模型，Gr的变化范围从3×10^6到3×10^10，这样涵盖了从小尺寸到大尺寸的直拉单晶硅生长系统。数值结果表明熔体的流动状态不仅与熔体的Gr有关，还与熔体高度和坩埚半径的比值密切相关。当Gr〉10^8时，熔体内确实存在紊流现象，层流模型不再适合，随着Gr的增大，紊流现象加剧，轴心处的等温线变得更为陡峭，不