【摘 要】
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在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路。在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度。通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口ESD防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度。仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将输入1dB压缩点提高至18.9 dBm。在16GHz频点,串联LC谐振网络设计和串联大电感设计分别可以将插入损耗减小0.5dB和0.9dB。
【机 构】
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中国电子科技集团重庆声光电有限公司,重庆西南集成电路设计有限责任公司
【基金项目】
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重庆市技术创新与应用发展专项项目(CSTC2020JSCX-GKSBX0012)。
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在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路。在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度。通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口ESD防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度。仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将输入1dB压缩点提高至18.9 dBm。在16GHz频点,串联LC谐振网络设计和串联大电感设计分别可以将插入损耗减小0.5dB和0.9dB。
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