【摘 要】
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采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜，然后在不同温度下对其进行退火处理．利用X射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等表征技术，研究了制备备件对SnO2-x薄膜的结
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采用射频反应溅射法在不同氧气分压下制备SnO2-x薄膜，然后在不同温度下对其进行退火处理．利用X射线衍射分析（XRD）和扫描电子显微镜（SEM）等表征技术，研究了制备备件对SnO2-x薄膜的结晶性能和表面形貌的影响．研究结果显示．当氧气分压为50％时，可以制备出质量较高的SnO2-x纳米薄膜．当退火温度从450℃升高到550℃．样品的电阻率降低．退火温度500℃的样品在工作温度225℃时，对乙醇有较高的灵敏度．灵敏度达67％，对丁烷的灵敏度不高．
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