【摘 要】
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采用射频磁控溅射技术在不同条件、不同基片上制备氧化碲（TeOx）薄膜,并通过X线衍射、傅里叶变换红外光谱、X线光电子能谱等技术对制备的TeOx薄膜的结构和成分进行了分析。研制
【机 构】
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南京大学声学研究所近代声学实验室,京都大学工学研究科
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（10774074）
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采用射频磁控溅射技术在不同条件、不同基片上制备氧化碲（TeOx）薄膜,并通过X线衍射、傅里叶变换红外光谱、X线光电子能谱等技术对制备的TeOx薄膜的结构和成分进行了分析。研制了TeOx/36°YX-LiTaO3结构的Love波器件,对Love波器件的延时温度系数（TCD）进行研究。结果表明,与36°YX-LiTaO3基片上制作的水平切变声波器件的延时温度系数相比,Love波器件的延时温度系数因TeOx薄膜的沉积而减小,故TeOx薄膜的延时温度系数为负值,其变化量取决于TeOx薄膜的制备
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