【摘 要】
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本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+ A-SI∶H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不
【机 构】
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合肥鑫晟光电科技有限公司 合肥230000
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本文采取4因子4水平田口设计,用等离子体增强化学气相沉积法制备了沉积在白玻璃上的单层N+ A-SI∶H薄膜,测试了薄膜的应力,膜厚,折射率,透过率,及SI-H/N-H键含量,综合评价不同参数配比条件下N+A-SI∶H单层膜的膜质表现,针对比较重要的参数:沉积速率,Thickness Uniformity,SI-H键含量进行了田口分析,两阶段策略优化选出PECVD制程中的N+ A-SI layer的最佳参数配比为:Pressure-385.7 Pa,Spacing-20.32 mm,RF Power-13000W,Gas Ratio-3.12.
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