4H—SiC射频功率MESFET大信号直流I—V特性解析模型

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根据4H-SiC高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点,对适用于Si和GaAsMESFET的直流I-V特性理论进行了分析与修正,采用高场下载流子速度饱和理论,以双曲正切函数作为表征I-V特性的函数关系,建立了室温条件下4H-SiC射频功率MESFET直流I-V特性的准解析模型,适于描述矩沟道微波段4H-SiC MESFET的大信号非线性特性,计算结果与实验数据有很好的一致性,同时与MEDICI模拟器的模拟结果也进行了比较。
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