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通过直流磁控溅射热等静压铟锡氧化物（ITO）靶材制备ITO导电薄膜，并且针对O2-Ar混合气氛中氧的分压对ITO膜的结构、表面形貌、透光率以及导电率的影响进行了研究。结果表明，在低氧分压的条件下溅射，膜的（400）面非常显著地择优取向平行于玻璃表面，而随着氧分压的升高却表现为膜的（222）面择优取向平行于玻璃表面。同时，随着氧分压的升高，膜的表面粗糙度变小，膜的结构变得更细腻。膜的可见光透过率在氧分压增大的情形下有少许增大，但是膜的导电率却略有下降。