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用于集成超声传感阵列的PVDF—MOSFET新结构
用于集成超声传感阵列的PVDF—MOSFET新结构
来源 :华南理工大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:kaijiyu
【摘 要】
:
本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜-MOS晶体管传感器单元结构。和一般POSFET结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容,明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的
【作 者】
:
郑学仁
刘百勇
李斌
王曦
郑耀宗
【机 构】
:
华南理工大学应用物理系,香港城市大学电子工程学系
【出 处】
:
华南理工大学学报(自然科学版)
【发表日期】
:
1995年12期
【关键词】
:
传感器
聚偏氟乙烯
超声传感器
MOS晶体管
transducer; polyvinylidene fluoride
polyimide; integrate
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本文报道一种用聚酰亚胺膜垫高扩展栅的聚偏氟乙烯压电膜-MOS晶体管传感器单元结构。和一般POSFET结构相比。这种新结构大大减少了扩展栅电容,明显地提高了器件灵敏度。详述了这种结构的制造过程,特别是PI膜制备条件对CEG和器件性能的影响。
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