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导致铝的使结晶的硅电影被磁控管劈啪作响在玻璃底层上准备。铝被一个铝目标劈啪作响的常规脉搏间歇地在硅电影增加。在硅电影的铝的数量能被调整劈啪作响的铝控制力量和 undoped 硅层的劈啪作响的时间；因此， Seebeck 系数和多晶的硅电影的电的抵抗力能被调整。当到硅的铝的劈啪作响的力量比率是 16% 时， Seebeck 系数和电的抵抗力与期望的铝的增加的数量减少，这被发现；在房间温度的 Seebeck 系数和电的抵抗力是 0.1850.285 mV/K 并且 0.302.4 ? 代‥景琠敨戠獡 ? 慭整