超低价DRAM及其低成本技术——采用先进工艺并改进存储单元的布局 使DRAM成本每年下降30%

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在2007年9月召开的ISTF(工业战略技术论坛)2007上,尔必达公司的执行董事兼CTO安达隆郎宣称:“2011年左右,公司将开始量产采用40nm工艺的DRAM,其存储单元面积将削减到4F(F是最小特征尺寸)。”
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