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本文提出一种测定具有高晶格失配率的异质结带偏移的新方法。利用C-V测量技术,估计了晶格失配和其它集中电容对n-PbTe/P-Si异质结内建电势的影响。在用适当方法剔除了由其它集中电容引起的测量误差后,所得内建电势差修正值接近理想HJ的计算值。基于此修正值,计算的带偏移△Ev和△Ec十分接近国外文献所报导的结果。