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淀积在SiO<sub>2</sub>上的共溅射W-Si 薄膜,在高纯N<sub>2</sub>中经200—1100℃的10秒钟快速热退火,用转靶X射线衍射、激光喇曼光谱、俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、透射电子显微镜、四探针测量等不同手段研究了钨硅化物的形成.565℃退火出现了W<sub>5</sub>Si<sub>3</sub>相,退火温度高于755℃,稳定相WSi<sub>2</sub>