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给出了n型和p型4H-SiC的二级喇曼谱的实验结果．指认了所观察到的一些光谱结构对应的特定声子支及其在布里渊区中相应的对称点，发现在4HSiC的二级喇曼谱中存在能量差约为10cm^-1的双谱线结构，这一结构与六方相GaN，ZnO和AlN的双谱线结构具有相同的能量差．二级喇曼谱的截止频率对于不同掺杂情况的4HSiC具有相同的值．它并不等于n型掺杂4H-SiC的A1(LO)声子的倍频，而是等于未掺杂样品的A1(LO)声子的倍频，掺杂类型和杂质浓度对4H-SiC的二级喇曼谱几乎没有影响。