【摘 要】
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近年来,半导体存贮器、特别是被称作动态随机存取存贮器(RAM)的技术发展速度是非常惊人的。1K 位的MOS 动态 RAM——1103在1970年问世,以后从4K位到16K 位几乎每2年出现一代
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近年来,半导体存贮器、特别是被称作动态随机存取存贮器(RAM)的技术发展速度是非常惊人的。1K 位的MOS 动态 RAM——1103在1970年问世,以后从4K位到16K 位几乎每2年出现一代,这样一来,不仅达到了高于原来4倍的高集成化,同时亦扩大了功能。从用户方面看
In recent years, the speed of development of semiconductor memories, particularly those called dynamic random access memories (RAMs), has been staggering. 1K-bit MOS Dynamic RAM - 1103 was introduced in 1970 and has since evolved from 4K bits to 16K bits almost every two years, thus achieving not only 4 times higher integration than previous versions but also expanded functions . From the user’s perspective
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