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本文根据生产中实际案例，在DFT设计的基础之上，为Intel公司65nm NOR闪存芯片的一种特殊失效模式设计了一种独特的测度方法，同时提出了测试参数根据产品本征特性自适应调节的概念。
半导体器件自适应测试参数调节
【摘 要】
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本文根据生产中实际案例，在DFT设计的基础之上，为Intel公司65nm NOR闪存芯片的一种特殊失效模式设计了一种独特的测度方法，同时提出了测试参数根据产品本征特性自适应调节的概念
【机 构】
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上海交通大学电子信息与电器工程学院
【出 处】
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科技资讯
【发表日期】
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2009年5期
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