IGBT并联是解决托卡马克（Tokamak）装置中等离子体垂直位移快速控制电源容量逐渐增大问题的有效途径。而并联IGBT之间的结温平衡是并联系统安全稳定运行的关键因素之一。因此，研究结温对并联IGBT功率损耗差异的影响对提高并联系统的稳定性至关重要。然而现有的研究成果主要集中在单个器件损耗模型或者是并联IGBT的最佳工作频率范围而未涉及对并联IGBT最佳工作占空比范围的讨论。研究发现，当IGBT工作在正温度系数区间时，结温差异造成的通态损耗差异与开关损耗差异呈不同的温度特性。因此提出了“零温度-占空比”的概念来估计并联IGBT之间结温失配趋势。本文建立了“零温度-占空比”模型，并以此来分析电路设计参数、IGBT器件参数以及结温差异对并联IGBT最佳工作占空比范围的影响。实验结果表明通过“零温度-占空比”模型可以对并联功率器件的可靠性、电路设计参数以及器件选型提供可行的参考。