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铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系。采用X射线衍射（XRD）对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12（BIT）铁电薄膜进行了择优取向和应力分析，研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理。3片BIT薄膜的内应力均为张应力，并随着（200）峰与（117）峰相对强度的增强而变小，结果表明：a轴择优的BIT薄膜性能最好。