应变Si1-xGex pMOSFET反型沟道空穴低场迁移率模型

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：henbuxiaxin11

【摘要】

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在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，提出了一个半经验的应变Si1-xGex／Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型．在该模型中，给出了迁移率随应变的变化，并且考虑了界面陷阱电

【作者】

：

张雪锋徐静平邹晓张兰君

【机构】

：

华中科技大学电子科学与技术系

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2006年11期

【关键词】

：

P-MOSFET 应变Sil Gex 空穴迁移率 p-MOSFET strained Si1-xGex hole mobility

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在考虑应变对SiGe合金能带结构参数影响的基础上，提出了一个半经验的应变Si1-xGex／Si pMOSFET反型沟道空穴迁移率模型．在该模型中，给出了迁移率随应变的变化，并且考虑了界面陷阱电荷对载流子的库仑散射作用．利用该模型对室温下空穴迁移率随应变的变化及影响空穴迁移率的因素进行了分析讨论．

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