论文部分内容阅读
采用化学气相沉积（CVD）法在镀Cr（20nm）的玻璃衬底上,低温制备了ZnO纳米线阵列。利用扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射（XRD）对样品的表面形貌和微结构进行了分析表征。结果表明：源分解温度1350℃,衬底温度450～500℃,氩气流量为35sccm时,ZnO纳米线在玻璃衬底上呈现有序生长;XRD谱图中只观测到ZnO（002）衍射峰。表明制备的纳米线阵列具有高度c轴择优取向生长特性和较高的结晶质量。