【摘 要】
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衬底型ISFET是一种化学敏感器件。沉积在衬底背面上的化学敏感膜(Si_3N_4、AgCl等)的活性区与测试溶液相接触。当溶液离子浓度发生变化时,器件的漏源电流会发生相应变化,本文
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衬底型ISFET是一种化学敏感器件。沉积在衬底背面上的化学敏感膜(Si_3N_4、AgCl等)的活性区与测试溶液相接触。当溶液离子浓度发生变化时,器件的漏源电流会发生相应变化,本文推导出了这两者变化的关系式,并研制出了密封性较好、性能稳定的衬底型ISFET。
Substrate ISFET is a chemically sensitive device. The active region of the chemosensitive film (Si 3 N 4, AgCl, etc.) deposited on the backside of the substrate is in contact with the test solution. When the ion concentration of the solution changes, the drain-source current of the device changes accordingly. The relationship between these two changes is derived in this paper, and a substrate-type ISFET with good sealing performance and stable performance has been developed.
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