【摘 要】
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对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量子阱宽度的关系,并讨论了量子阱中In组分相对于不同波长的最小临界值。用MOCVD生长器件,实验
【机 构】
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重庆邮电大学光电工程学院,重庆教育学院,重庆光电技术研究所,
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对于给定波长的超辐射发光二极管,根据应变量子阱理论,研究了器件有源层组分与量子阱宽度的关系,并讨论了量子阱中In组分相对于不同波长的最小临界值。用MOCVD生长器件,实验结果与理论计算值吻合。
For a given wavelength of superluminescent diode, according to the theory of strained quantum well, the relationship between the active layer composition and the width of the quantum well is studied, and the minimum critical value of the In composition in the quantum well with respect to different wavelengths is discussed. MOCVD growth device, the experimental results and theoretical calculations.
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