【摘 要】
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采用高温热注入法,以P[N（CH_3）_2]_3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag∶InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱（UV-Vis-NIR）、荧光光谱、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）
【机 构】
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吉林大学第二医院,吉林大学化学学院
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采用高温热注入法,以P[N（CH_3）_2]_3为磷源合成了具有近红外荧光的Ag∶InP/ZnSe纳米晶.采用紫外-可见-近红外吸收光谱（UV-Vis-NIR）、荧光光谱、透射电子显微镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等对产物的结构和光学性质进行了表征,并分析了Ag掺杂浓度和温度对InP纳米晶荧光性能的影响.通过调节Ag掺杂浓度和反应温度,发现当Ag掺杂量为6%,反应温度为200℃时,Ag∶InP纳米晶的发光效率最高.将制备的Ag∶InP的表面包覆ZnSe,粒子的荧光效率从原来的20%提高到45%.将具有
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