厚膜型γ—Fe_2O_3气敏元件的一次烧成工艺及气敏特性的研究

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木文研究了以γ—Fe_2O_3为起始原料,一次烧成法制备γ—Fe_2O_3半导体陶瓷新工艺及其影响因素。测定出电阻率——烧成温度特性曲线,并与以Fe_3O_4为起始原料的二次烧成工艺作了比较。借助XRD、SEM分析和观察,认为显微结构的变化是导致气敏元件失效的原因。适当控制一次烧成工艺,可以制备出性能优异的半导体陶瓷气敏元件。 Mu Wen studied the new technology of γ-Fe_2O_3 semiconductor ceramics with γ-Fe_2O_3 as the starting material and the primary sintering process and its influencing factors. The resistivity-firing temperature characteristic curve was determined and compared with the secondary firing process using Fe_3O_4 as the starting material. By means of XRD, SEM analysis and observation, it is considered that the change of the microstructure causes the failure of the gas sensor. Proper control of a firing process can be prepared with excellent performance of semiconductor ceramic gas sensor.
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