High peak-to-valley current ratio In0.53Ga0.47As/AlAs resonant tunneling diode with a high doping em

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：manuka

【摘要】

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<正>An In_(0.53)Ga_(0.47)As/AlAs resonant tunneling diode(RTD) with a high doping emitter is designed and fabricated using air bridge technology.The RTD exhibit

【作者】

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Wang Wei Sun Hao Teng Teng Sun

【机构】

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KeyLaboratoryofTerahertzSolid-StateTechnology,UniversityofChineseAcademyofSciences

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2012年12期

【关键词】

：

共振隧穿二极管发射器高掺杂电流比微波测量 RTD 桥梁技术电流密度 resonant tunneling diode I-V characteris

【基金项目】

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Project supported by the National Fundamental Research Program of China （No. 2009CB320207）.

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<正>An In_(0.53)Ga_(0.47)As/AlAs resonant tunneling diode(RTD) with a high doping emitter is designed and fabricated using air bridge technology.The RTD exhibits a high peak-to-valley current ratio(PVCR) of more than 40 at room temperature,with a pea

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