【摘 要】
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研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6Ω.cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来S
【机 构】
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西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,中国电子科技集团公司第13研究所
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研究了热退火条件下Au/Ti/Ni-4H-SiC欧姆接触形成机制.通过950℃下的快速热退火形成的最低欧姆接触电阻为2.765×10-6Ω.cm2.SIMS分析表明退火过程中NiSi化合物的形成会带来SiC内部多余C原子的溢出,并在接触面上与Ti形成间隙化合物TiC.这一过程造成接触表面存在由大量C空位形成的缺陷层从而增强了表面间接隧穿.通过界面能带结构图直观地解释了欧姆接触在热退火条件下的形成机制.
The formation mechanism of Au / Ti / Ni-4H-SiC ohmic contact under thermal annealing conditions was studied.The lowest ohmic contact resistance formed by rapid thermal annealing at 950 ℃ was 2.765 × 10-6Ω.cm2.SIMS analysis showed that the NiSi The formation of compounds will lead to the overflow of excess C atoms in SiC and the formation of interstitial compound TiC with Ti on the contact surface.This process results in the existence of a defect layer formed by a large number of C vacancies on the contact surface and enhances the indirect tunneling of the surface.Through Interface band structure diagram intuitively explain the formation of ohmic contact in the thermal annealing conditions.
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