【摘 要】
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为了提高NiO气敏材料的响应和恢复速度,采用磁场诱导肼还原法和高温氧化法制备Zn掺杂NiO纳米线,研究Zn掺NiO纳米线基传感器对于氨气的敏感性能。结果表明：随着Zn掺杂浓度的提
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为了提高NiO气敏材料的响应和恢复速度,采用磁场诱导肼还原法和高温氧化法制备Zn掺杂NiO纳米线,研究Zn掺NiO纳米线基传感器对于氨气的敏感性能。结果表明：随着Zn掺杂浓度的提高（摩尔分数2%～5%）,XRD衍射峰向小角度偏移0.2°～0.4°,且晶面间距增大0.01～0.02 nm,均说明锌离子已成功掺入到NiO晶格中;与未掺杂的NiO纳米线传感器相比,掺杂Zn的NiO纳米线传感器的响应速度提升了6～8倍,恢复速度提升了108～120倍;掺杂的NiO基气敏传感器同时拥有着优异的稳定
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